IGBT Infineon FF300R12KS4 là dòng IGBT tích hợp nhỏ gọn công suất lớn chịu được dòng điện lên tới 300A điện áp 1200V được sử dụng khá phổ biến trong các dòng biến tần của các hãng nổi tiếng. FF300R12KS4 Là Dòng IGBT FF300R12KS4 (Insulated Gate Bipolar Transistor) là Transistor có cực điều khiển cách ly là một linh kiện bán dẫn công suất 3 cực. Nó là sự kết hợp khả năng đóng cắt nhanh của MOSFET và khả năng chịu tải lớn của transistor thường.
Cấu tạo, nguyên lý hoạt động
Về cấu trúc bán dẫn, IGBT rất giống với MOSFET, điểm khác nhau là có thêm lớp nối với collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa emiter.
Cùng với collector (tương tự với cực máng), mà không phải là n-n như ở MOSFET. Vì thế có thể coi IGBT tương đương với một transistor p-n-p với dòng base được điều khiển bởi một MOSFET
Đặc tính đóng cắt của FF300R12KS4
Do cấu trúc n-p-n mà điện áp thuận giữa C và E trong chế độ dẫn dòng ở IGBT thấp hơn hẳn so với Mosfet.
Tuy nhiên do cấu trúc này làm cho thời gian đóng cắt của IGBT chậm hơn so với Mosfet, đặc biệt là khi khóa lại
FF300R12KS4 data , FF300R12KS4 pdf , FF300R12KS4
FF300R12KS4 IGBT Module – 300A 1200V – Điện Công Suất
FF300R12KS4
FF300R12KS
FF300R12K
FF300R12
FF300R
FF300R12KS4 IGBT Infineon 300A 1200V Tháo máy
FF300R12KS4 IGBT Module – 300A 1200V – Điện Công Suất
IGBT FF300R12KS4- Hãng Infineon – Semico
FF300R12KS4 – Thiết bị điện công nghiệp chất lượng cao
FF300R12KS4 Infineon Technologies | Mouser Việt Nam
FF300R12KS4 IGBT infineon 300A 1200V mới chính hãng
Module biến tần IGBT FF300R12KS4 300A-1200V new
igbt ff300r12ks4 – Quang Silic
FF300R12KS4HOSA1 Infineon Technologies – Digikey
FF300R12KS4 IGBT Mô Đun Đảm Bảo 100% Mới Ban Đầu
Infineon FF300R12KS4 Dual IGBT Module